IRF540NPBF
Symbol Micros:
TIRF540n
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NPBF; IRF 540 N PBF; IRF540N;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF540N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
854 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3300 | 2,1100 | 1,6600 | 1,4900 | 1,4500 |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF540N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2300 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3300 | 2,1100 | 1,6600 | 1,4900 | 1,4500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF 540 N PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
5 szt.
| ilość szt. | 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2490 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF540NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
16500 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1903 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |