IRF540NPBF

Symbol Micros: TIRF540n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NPBF; IRF 540 N PBF; IRF540N;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
854 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,3300 2,1100 1,6600 1,4900 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
2300 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,3300 2,1100 1,6600 1,4900 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF 540 N PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
5 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,2490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
16500 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,1903
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT