IRF540NL
Symbol Micros:
TIRF540nl
Obudowa: TO262
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NLPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TO262 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF540NL RoHS
Obudowa dokładna: TO262
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 6+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,0200 | 4,0900 | 3,4600 | 3,2200 | 3,1700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TO262 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |