IRF60DM206 INFINEON
Symbol Micros:
TIRF60dm206
Obudowa:
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 96W |
| Obudowa: | DirectFET(ME) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 96W |
| Obudowa: | DirectFET(ME) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |