IRF610S
Symbol Micros:
TIRF610s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,3A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF610STRLPBF; IRF610STRRPBF; IRF610SPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,3A |
Maksymalna tracona moc: | 36W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF610S RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,6600 | 3,1000 | 2,3900 | 2,3100 | 2,2200 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,3A |
Maksymalna tracona moc: | 36W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |