IRF630NPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF630 MOS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9A
Maksymalna tracona moc: 74W
Obudowa: TO220
Producent: MOSLEADER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: MOSLEADER Symbol producenta: IRF630NPBF-ML RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5800 1,6300 1,2900 1,1700 1,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9A
Maksymalna tracona moc: 74W
Obudowa: TO220
Producent: MOSLEADER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta