IRF630S
Symbol Micros:
TIRF630s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 9A |
Maksymalna tracona moc: | 74W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 9A |
Maksymalna tracona moc: | 74W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |