IRF640NS smd
Symbol Micros:
TIRF640ns
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NSTRLPBF; IRF640NSPBF; IRF640NSPBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF640NS RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6900 | 5,1000 | 4,2200 | 3,7000 | 3,5200 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF640NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5200 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF640NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
| ilość szt. | 1600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5200 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF640NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
3130 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |