IRF7104 smd
Symbol Micros:
TIRF7104
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7104PBF; IRF7104TRPBF; IRF7104PBF-GURT; SP001564756;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7104TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
4000 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5200 | 2,2300 | 1,7600 | 1,6000 | 1,5300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7104TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5200 | 2,2300 | 1,7600 | 1,6000 | 1,5300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRF7104TR UMW
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7104PBF; IRF7104TRPBF; SP001565336; SP001564756;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRF7104TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
300 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1200+ |
| cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,5000 | 1,1600 | 1,0300 | 0,9900 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)