IRF710SPBF
Symbol Micros:
TIRF710s
Obudowa: DirectFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 3,6Ohm; 2A; 3,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF710SPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF710SPBF
Obudowa dokładna: DirectFET
Magazyn zewnętrzny:
850 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3304 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |