IRFI720G iso
Symbol Micros:
TIRF720 iso
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 2,6A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFI720G RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4000 | 2,1600 | 1,7000 | 1,5500 | 1,4800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFI720GPBF
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
685 szt.
| ilość szt. | 250+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0335 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |