IRFI720G iso

Symbol Micros: TIRF720 iso
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 2,6A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220iso
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFI720G RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7500 2,3800 1,8700 1,7100 1,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 1,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220iso
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT