IRF7205TRPBF JGSEMI
Symbol Micros:
TIRF7205 JGS
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRF7205PBF; IRF7205TRPBF; SP001551218; SP001559768;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 125°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRF7205 smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STS4DPF30L; IRF7205PBF; IRF7205TRPBF; IRF7205PBF-GURT;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF7205TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
1293 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,6500 | 1,6800 | 1,3200 | 1,2000 | 1,1500 |
Sposób pakowania: 4000
Ilość (wielokrotność 1)
IRF7205TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7205PBF; IRF7205TRPBF; SP001551218; SP001559768;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRF7205TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
150 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,8800 | 1,1400 | 0,8740 | 0,7880 | 0,7500 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)