IRF7301TRPBF

Symbol Micros: TIRF7301
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; IRF7301PBF-GURT; IRF7301; IRF7301TRPBF-VB; IRF 7301 TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,2A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7301 RoHS Obudowa dokładna: SOP08  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,8400 4,7900 4,0700 3,7200 3,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
95/950
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7301TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
285 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,8400 4,7900 4,0700 3,7200 3,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3050
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7301TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
1332 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,8400 4,7900 4,0700 3,7200 3,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1332
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,2A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD