IRF7309
Symbol Micros:
TIRF7309
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm/160mOhm; 4A/3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7309PBF; IRF7309TRPBF; IRF7309PBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | 2xN/P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7309 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 95+ | 380+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5200 | 3,0000 | 2,4800 | 2,2400 | 2,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7309TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7309TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | 2xN/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |