IRF7309

Symbol Micros: TIRF7309
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm/160mOhm; 4A/3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7309PBF; IRF7309TRPBF; IRF7309PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7309 RoHS Obudowa dokładna: SOP08  
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 95+ 380+
cena netto (PLN) 4,5200 3,0000 2,4800 2,2400 2,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
95/380
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7309TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7309TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD