IRF7342TRPBF
Symbol Micros:
TIRF7342
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7342TRPBF; IRF7342PBF; IRF7342PBF-GURT; IRF7342 smd; IRF 7342 TRPBF; IRF7342TR;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 170mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7342TR RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
602 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7600 | 1,7500 | 1,3800 | 1,2600 | 1,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7342TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
1500 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7600 | 1,7500 | 1,3800 | 1,2600 | 1,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7342TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
8000 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7600 | 1,7500 | 1,3800 | 1,2600 | 1,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7342TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
316000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7342TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2178 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7342TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
8800 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3884 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 170mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |