IRF7343 smd
Symbol Micros:
TIRF7343
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7343TRPBF; IRF7343PBF-GURT; IRF 7343 TRPBF
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 170mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | 2xN/P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 170mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | 2xN/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRF7343TR UMW
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/100mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7343PBF; IRF7343TRPBF; SP001571976; SP001565516;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRF7343TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,2300 | 1,3500 | 1,0400 | 0,9350 | 0,8900 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)
IRF7343TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm/115mOhm; 6A/5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7343PBF; IRF7343TRPBF; SP001571976; SP001565516;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
IRF7343TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,1300 | 1,2900 | 0,9900 | 0,8930 | 0,8500 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)