IRF7351
Symbol Micros:
TIRF7351
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17,8mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7351PBF; IRF7351TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 17,8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7351TR RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
486 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4800 | 6,7200 | 5,7200 | 5,2600 | 4,9900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7351TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 17,8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |