IRF7380 smd

Symbol Micros: TIRF7380
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 73mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik; IRF7380PBF; IRF7380TRPBF; IRF7380PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 73mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7380TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,7300 3,1400 2,6000 2,3500 2,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7380TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,7300 3,1400 2,6000 2,3500 2,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7380TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,7300 3,1400 2,6000 2,3500 2,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7380TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7380TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
6100 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 73mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta