IRF7380Q

Symbol Micros: TIRF7380q
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 73mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 73mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,6A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7380QTR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,6600 3,4200 2,7400 2,3500 2,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
820
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7380QTR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,6600 3,4200 2,7400 2,3500 2,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 73mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,6A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD