IRF740
Symbol Micros:
TIRF740
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF740 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
37 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,8100 | 3,6700 | 3,0400 | 2,6600 | 2,5300 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF740PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,8100 | 3,6700 | 3,0400 | 2,6600 | 2,5300 |
Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |