IRF740LC

Symbol Micros: TIRF740 lc
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF740LCPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: Siliconix
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRF740LCPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0500 3,8600 3,1900 2,8000 2,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: Siliconix
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT