IRF7406TRPBF
Symbol Micros:
TIRF7406
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Odpowiednik: IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF9335PBF; IRF7406PBF-GURT; IRF7406 SMD;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7406TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
90 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 95+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 16,5800 | 14,7300 | 13,6200 | 13,0700 | 12,7500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7406 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 95+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 16,5800 | 14,7300 | 13,6200 | 13,0700 | 12,7500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |