IRF7478TRPBF

Symbol Micros: TIRF7478
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Wycofano z produkcji; IRF7478;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 30mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7478TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,3300 4,4300 3,6500 3,3800 3,3300
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 30mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta