IRF7749L1 Infineon
Symbol Micros:
TIRF7749L1
Obudowa: DirectFET
N-MOSFET 60V 1.5mΩ 33A 3.3W IRF7749L1TRPBF
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | DirectFET |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7749L1TRPBF
Obudowa dokładna: DirectFET
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,8162 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7749L1TRPBF
Obudowa dokładna: DirectFET
Magazyn zewnętrzny:
28000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,2979 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | DirectFET |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |