IRF7749L1 Infineon

Symbol Micros: TIRF7749L1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DirectFET
N-MOSFET 60V 1.5mΩ 33A 3.3W IRF7749L1TRPBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 3,3W
Obudowa: DirectFET
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7749L1TRPBF Obudowa dokładna: DirectFET  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,9094
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 3,3W
Obudowa: DirectFET
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD