IRF7820
Symbol Micros:
TIRF7820
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 78mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF7820TR RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9600 | 3,6400 | 2,9200 | 2,5000 | 2,3600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7820TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7820TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 78mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |