IRF7832 smd

Symbol Micros: TIRF7832
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: IRF7832TRPBF; IRF7832PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7832TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,0600 5,6300 4,8200 4,3300 4,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 4,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 155°C
Montaż: SMD