IRF7853TRPBF

Symbol Micros: TIRF7853
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7853PBF; IRF7853TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,3A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7853TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
260 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 4,8100 3,1900 2,5500 2,3300 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7853TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 4,8100 3,1900 2,5500 2,3300 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,3A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta