IRF8010
Symbol Micros:
TIRF8010
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 260W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF8010PBF; IRF8010LPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 15mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 260W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF8010 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
137 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 47+ | 188+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,6200 | 7,0600 | 6,1500 | 5,6000 | 5,3900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF8010PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF8010PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
15318 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 15mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 260W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |