IRF820 TO220 LGE
Symbol Micros:
TIRF820 LGE
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |