IRF820A
Symbol Micros:
TIRF820a
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF820APBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF820A RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7500 | 2,3500 | 1,8400 | 1,7400 | 1,6300 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF820APBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1039 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |