IRF8313

Symbol Micros: TIRF8313
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 21,6mOhm; 9,7A; 2W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF8313PBF; IRF8313TRPBF; IRF8313PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 21,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF8313TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
3463 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5700 2,2600 1,7800 1,6200 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF8313TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
2600 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 21,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta