IRF840
Symbol Micros:
TIRF840
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 850mOhm; 8A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF840PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 8A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF840PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,0200 | 3,3300 | 2,5700 | 2,4300 | 2,3900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 8A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |