IRF9389TRPBF

Symbol Micros: TIRF9389
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm/103mOhm; 6,8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9389PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 103mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,8A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 103mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,8A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta