IRF9520PBF
Symbol Micros:
TIRF9520
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520PBF; IRF9520;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 60W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF9520 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
490 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6300 | 2,2800 | 1,7900 | 1,6900 | 1,5800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9520PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1900 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9520PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1250 szt.
| ilość szt. | 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1462 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 60W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |