IRF9520PBF

Symbol Micros: TIRF9520
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520PBF; IRF9520;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,8A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRF9520 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
360 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,3300 2,1000 1,6500 1,5000 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF9520PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
900 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4552
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF9520PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1900 szt.
ilość szt. 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF9520PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
550 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6245
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,8A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT