IRF9530NPBF

Symbol Micros: TIRF9530n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 14A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530NPBF; IRF 9530N PBF; IRF9530N;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9530N RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
230 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5000 2,2200 1,7500 1,5900 1,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9530NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
154 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,2724
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9530NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
16805 szt.
ilość szt. 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9530NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
2350 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,7689
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT