IRF9530NPBF
Symbol Micros:
TIRF9530n
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 14A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530NPBF; IRF 9530N PBF; IRF9530N;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 14A |
Maksymalna tracona moc: | 79W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9530N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,3100 | 2,1000 | 1,6600 | 1,5100 | 1,4400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9530NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2390 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,5630 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9530NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
47325 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9530NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
15493 szt.
ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4400 |
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 14A |
Maksymalna tracona moc: | 79W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |