IRF9530NPBF

Symbol Micros: TIRF9530n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 14A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530NPBF; IRF 9530N PBF; IRF9530N;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9530N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
240 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0300 1,5900 1,4500 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT