IRF9540PBF
Symbol Micros:
TIRF9540
Obudowa: TO220
P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540PBF; IRF9540; IRF9540PBF-BE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 19A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | TO-220AB |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF9540PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,7000 | 3,9900 | 3,1900 | 3,0400 | 3,0000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9540PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
8015 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,0000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9540PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2167 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,0000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9540PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3715 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,0000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 19A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | TO-220AB |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |