IRF9610
Symbol Micros:
TIRF9610
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9610PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 20W |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF9610PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
225 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 300+ | 600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3500 | 2,8900 | 2,2400 | 2,0900 | 2,0700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 20W |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |