IRF9610
Symbol Micros:
TIRF9610
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9610PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
Maksymalna tracona moc: | 20W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9610 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
34 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,5700 | 2,2600 | 1,7800 | 1,5900 | 1,5500 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF9610 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,5700 | 2,2600 | 1,7800 | 1,5900 | 1,5500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
Maksymalna tracona moc: | 20W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |