IRF9Z34N
Symbol Micros:
TIRF9Z34n
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34NPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 19A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF9Z34N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1787 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7400 | 1,7300 | 1,3700 | 1,2500 | 1,1900 |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF9Z34NPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7400 | 1,7300 | 1,3700 | 1,2500 | 1,1900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9Z34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9Z34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
7050 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4439 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9Z34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
15291 szt.
| ilość szt. | 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 19A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |