IRF9Z34N

Symbol Micros: TIRF9Z34n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 19A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9Z34N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
1787 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7300 1,3700 1,2500 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9Z34NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7300 1,3700 1,2500 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
7050 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,4439
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
15291 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 19A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT