IRF9Z34N

Symbol Micros: TIRF9Z34n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 19A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9Z34N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
52 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,8500 1,8100 1,4300 1,3000 1,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/400
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9Z34NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,8500 1,8100 1,4300 1,3000 1,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF9Z34PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1447 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6302
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
4430 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2786
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
15532 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 19A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta