IRF9Z34N

Symbol Micros: TIRF9Z34n

Obudowa: TO220

Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34NPBF;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	100mOhm
Maksymalny prąd drenu:	19A
Maksymalna tracona moc:	68W
Obudowa:	TO220
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	P-MOSFET

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9Z34N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa

Stan magazynowy:

32 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,8500	1,8100	1,4300	1,3000	1,2400

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9Z34NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa

Stan magazynowy:

0 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,8500	1,8100	1,4300	1,3000	1,2400

Producent: Vishay Symbol producenta: IRF9Z34PBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

1447 szt.

ilość szt.	350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,6267

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

4380 szt.

ilość szt.	10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,3264

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

15532 szt.

ilość szt.	500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,2400

Towar w drodze

Planowany termin:
2025-09-04

Ilość szt.: 200

Rezystancja otwartego kanału:	100mOhm
Maksymalny prąd drenu:	19A
Maksymalna tracona moc:	68W
Obudowa:	TO220
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	THT

Ilość szt.	1+	5+	20+	50+	300+
cena netto (PLN)	3,7600	2,4900	2,0500	1,9100	1,7900