IRFB3006
Symbol Micros:
TIRFB3006
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3006PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 270A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3006PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,4500 | 9,9000 | 8,9800 | 8,4000 | 8,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3006PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
190 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3006PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2350 szt.
| ilość szt. | 200+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,1800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 270A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |