IRFB3206 TO220

Symbol Micros: TIRFB3206
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206PBF; IRFB 3206 PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 210A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3206 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,0600 4,6300 3,8300 3,3600 3,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB 3206 PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
92 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5119
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3206PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
130 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4758
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3206PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
11649 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 210A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT