IRFB3306

Symbol Micros: TIRFB3306
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3306PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 160A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3306PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
1500 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,1300 3,9200 3,2400 2,8400 2,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3306PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
710 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,3053
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 160A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT