IRFB3306
Symbol Micros:
TIRFB3306
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3306PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 160A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3306PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
1490 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,7500 | 3,6300 | 3,0000 | 2,6300 | 2,5000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3306PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1800 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3306PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
700 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2898 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 160A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |