IRFB38N20D
Symbol Micros:
TIRFB38n20d
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 54mOhm; 43A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB38N20DPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 54mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 43A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 54mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 43A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |