IRFB4019

Symbol Micros: TIRFB4019
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 95mOhm; 17A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4019PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 95mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 80W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4019PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
170 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9306
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4019PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
31000 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6901
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 95mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 80W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT