IRFB4019

Symbol Micros: TIRFB4019
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 95mOhm; 17A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4019PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 95mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 80W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 95mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 80W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT