IRFB4110PBF JSMICRO
Symbol Micros:
TIRFB4110 JSM
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 180A |
Maksymalna tracona moc: | 240W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | JSMICRO |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: JSMSEMI
Symbol producenta: IRFB4110PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,1100 | 3,9000 | 3,2300 | 2,8300 | 2,6900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 180A |
Maksymalna tracona moc: | 240W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | JSMICRO |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |