IRFB4127
Symbol Micros:
TIRFB4127
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 20mOhm; 76A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4127PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 76A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB4127 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 14,9900 | 12,4600 | 10,9700 | 10,0300 | 9,6700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4127PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
440 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,6700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4127PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,6700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4127PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
11405 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,6700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 76A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |