IRFB4127

Symbol Micros: TIRFB4127
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 20mOhm; 76A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4127PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 76A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB4127 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
42 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 14,9900 12,4600 10,9700 10,0300 9,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 76A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT