IRFB4227PBF

Symbol Micros: TIRFB4227
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227PBF; IRFB4227PBFXKMA1; IRFB4227;
Parametry
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Montaż: THT
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB4227 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,3100 6,9700 6,2000 5,7200 5,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4227PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1233 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4227PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
84415 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4227PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1480 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Montaż: THT