IRFB4310z

Symbol Micros: TIRFB4310z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6mOhm; 127A; 250W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4310ZPBF; IRFB4310ZPBFXKMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6mOhm
Maksymalna tracona moc: 250W
Maksymalny prąd drenu: 127A
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4310ZPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
700 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,0416
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4310ZPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
700 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,9947
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4310ZPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
740 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,3790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4310ZPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
2517 szt.
ilość szt. 200+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,3533
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4310ZPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,1220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 6mOhm
Maksymalna tracona moc: 250W
Maksymalny prąd drenu: 127A
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT