IRFB4310z
Symbol Micros:
TIRFB4310z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6mOhm; 127A; 250W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4310ZPBF; IRFB4310ZPBFXKMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 127A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4310ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
850 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0314 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4310ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1070 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,6810 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4310ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1116 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 127A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |