IRFB4510PBF
Symbol Micros:
TIRFB4510
Obudowa: TO220
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220A IRFB4510PBF
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Maksymalny prąd drenu: | 62A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4510PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9636 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4510PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9394 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4510PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
228 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0416 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4510PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
5403 szt.
| ilość szt. | 300+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0975 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Maksymalny prąd drenu: | 62A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |