IRFB4710

Symbol Micros: TIRFB4710
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4710PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 75A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB4710 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,9100 10,7300 9,4500 8,6400 8,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 75A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT