IRFB7530
Symbol Micros:
TIRFB7530
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1mOhm; 295A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7530PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 295A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 295A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |