IRFBG30
Symbol Micros:
TIRFBG30
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBG30PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG30PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
93 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4400 | 4,5100 | 3,6100 | 3,4400 | 3,3900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG30PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
50 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |