IRFBG30
Symbol Micros:
TIRFBG30
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBG30PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG30PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
93 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,4400 | 4,5100 | 3,6100 | 3,4400 | 3,3900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG30PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1850 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,3900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG30PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1037 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,3900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG30PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
300 szt.
ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,3900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Montaż: | THT |